... 密度：4.81克/厘米3， 坚硬的. 熔点：1,062°C（1,944°F; 1,335 k）. 溶解度：微溶于酸[1]. 带隙：1.344eV（300 k;直接）. 电子迁移率：5400 cm2 /（v·s）（300 k）. 导热率 ...

晶体结构. 立方，闪锌矿. 晶格常数Å. 5.87. 熔点(℃). 1062. 德拜温度(K). 425. 密度(g/cm3). 4.81. 硬度(Mohs). 3. 热导率(W/mK). 68. 禁带宽度(eV). 1.344. 折射率. 3.1( ...

阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点； 应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态 ...

May 14, 2017 · 磷化镓、磷化铟 ... 【物化性质】橙色透明的晶体。熔点1477℃，相对密度4.13，其离解压为（(3.5±1) MPa。难溶于稀盐酸、浓盐酸、硝酸，是半导体。 ... 注：晶片 ...

Mar 16, 2022 · 磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点，磷化铟具有闪 ...

磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体。化学分子式为InP。 · (1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼 ...

硬度：. 3.0莫氏硬度 ; 密度：. 4.78 g/cm3 ; 导电类型：. N；N；N；Si；P ; 折射率：. 3.45 ; 载流子浓度cm-3 ：. 1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x10 ...

... 磷化铟,99.999%(METALSBASIS);磷化铟,多晶块;磷化铟(III);磷化铟(III),99.9999%(METALSBASIS); 英文名：INDIUM PHOSPHIDE. 熔点 1070°C; 密度 4,787 g/cm3; 形态pieces; 水 ...

Mar 2, 2024 · 云天化(SH600096)$ 磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等 ...